一种R-T-B磁体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210271193.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114373593B | 公开（公告）日 | 2022-07-05 |
| 申请公布号 | CN114373593B | 申请公布日 | 2022-07-05 |
| 分类号 | H01F1/055（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏方允;王登兴;朱伟;杜飞;胡蝶 | 申请（专利权）人 | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京英创嘉友知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315803浙江省宁波市北仑区科苑路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种R‑T‑B磁体及其制备方法，所述R‑T‑B磁体的元素组成为：R1xR2yT100‑x‑y‑z‑u‑a‑b‑cBzTiuCuaGabAc，R1为轻稀土元素中的至少一种，所述轻稀土元素包括Pr和Nd，R2为重稀土元素中的至少一种，所述重稀土元素包括Dy和Tb，T包括Fe和Co；A包括Al、Nb、Zr、Sn、Mn中的至少一种；其中，x、y、z、u、a、b、c为质量百分比，且满足：28%≤x+y≤30.5%，0.88%≤z≤0.92%，0.12%≤u≤0.15%，0≤a≤0.15%，0.15%≤b≤0.25%，0≤c≤2%。本公开通过Ti、B、Ga等元素的协同添加，解决了R2T17相比例较高的问题，使磁体具备高矫顽力和剩磁。 |
