一种磁体及制备磁体的方法
基本信息
| 申请号 | CN202011613885.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114694906A | 公开（公告）日 | 2022-07-01 |
| 申请公布号 | CN114694906A | 申请公布日 | 2022-07-01 |
| 分类号 | H01F1/053（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 魏方允;王登兴;王湛;胡蝶 | 申请（专利权）人 | 北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 代理机构 | 北京英创嘉友知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315803浙江省宁波市北仓区科苑路18号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开涉及一种磁体及制备磁体的方法，该磁体包括第一磁性基体和镀层，所述第一磁性基体具有厚度为10～20μm的表层，所述镀层粘附在所述表层上，其中，所述表层中具有裂纹，所述裂纹的宽度不大于1.5μm，且所述裂纹在所述表层中的面积裂纹密度为0.06～0.08/μm；针对所述裂纹，其中宽度在0.5μm以下的裂纹的长度占所有裂纹长度的比例不小于80％。本公开提供的磁体包括第一磁性基体和镀层，其中，第一磁性基体具有一高致密度的表层，因此，该磁体的抗磁衰减能力较强，高温减磁率较低。 |
