一种半导体封装结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201911194944.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110931368A | 公开（公告）日 | 2021-04-30 |
| 申请公布号 | CN110931368A | 申请公布日 | 2021-04-30 |
| 分类号 | H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/16 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王桥 | 申请（专利权）人 | 深圳扬兴科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 221000 江苏省徐州市金山东路北侧中国矿业大学国家大学科技园泉山科技楼209室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体封装结构及其制备方法，该方法包括以下步骤：在导热基底的上表面形成多个容置凹腔，在每个所述容置凹腔中均设置一高散热型半导体芯片，在所述导热基底的上表面依次设置第一、第二、第三热阻绝缘层，在所述第三热阻绝缘层上沉积形成金属布线层，在所述金属布线层上设置多个低散热型半导体芯片，使得每个所述低散热型半导体芯片与相应的所述高散热型半导体芯片进行电性连接；在所述金属布线层上设置多个引脚，在所述导热基底的四周边缘处形成一环形凹槽；接着通过模塑工艺形成一封装层，所述封装层的一部分嵌入到所述环形凹槽中，最后减薄所述导热基底。 |
