一种晶体硅光伏电池的I-V特性拟合曲线确定方法
基本信息
| 申请号 | CN202010940983.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112084657B | 公开（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申请公布号 | CN112084657B | 申请公布日 | 2022-06-10 |
| 分类号 | G06F30/20（2020.01）I;G06F17/18（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 师楠;朱显辉;王书侠;苏勋文;汤旭日;吕品;吴禹衡 | 申请（专利权）人 | 黑龙江科技大学 |
| 代理机构 | 北京正华智诚专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 150022黑龙江省哈尔滨市松北区浦源路2468号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线确定方法，以晶体硅光伏电池为对象，提出一种只需根据光伏电池自带的数据手册中的数据，无需求解超越方程和任何实测数据，以两条2阶Bezier函数分别对晶体硅光伏电池I‑V特性曲线最大功率点左右两侧进行简单拟合的方法，通过找出Bezier函数曲线控制点位置与晶体硅光伏电池填充因子之间的线性规律，进而给出满足工程精度要求晶体硅光伏电池的I‑V特性拟合曲线。 |
