一种IGBT结构及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201310087246.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103839994B | 公开（公告）日 | 2019-03-22 |
| 申请公布号 | CN103839994B | 申请公布日 | 2019-03-22 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡爱斌; 朱阳军; 卢烁今; 王波; 陆江; 吴振兴; 田晓丽; 赵佳 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 刘丽君 |
| 地址 | 200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种IGBT结构及其制作方法，属于半导体功率器件。该结构从背面到正面依次包括，P+集电极，N+缓冲层、N‑基底、P+基区、栅极和发射极；其中，P+集电极位于IGBT器件的底部，N+缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，P+型集电极到N‑基底之间依次有第三缓冲层、第二缓冲层和第一缓冲层。本发明可以对IGBT的正向导通压降和关断时间分别优化，从而可以获得更好的导通和关断的折中曲线，进而可以优化IGBT的开关特性。 |
