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IGBT器件及其制作方法

基本信息

申请号	CN201210426232.4	申请日	-
公开（公告）号	CN103794645B	公开（公告）日	2019-02-15
申请公布号	CN103794645B	申请公布日	2019-02-15
分类号	H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331	分类	基本电气元件;
发明人	胡爱斌;朱阳军;卢烁今;王波;吴振兴;田晓丽;赵佳;陆江	申请（专利权）人	上海联星电子有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王宝筠
地址	200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513
法律状态	-

摘要

本发明实施例公开了一种IGBT器件，该IGBT器件的N型基极区背面的依次设置有第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，其中所述第一N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第一N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，所述第二N型缓冲层的掺杂杂质为第六主族元素离子，且所述第二N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，并小于所述第一N型缓冲层的杂质浓度，所述第三N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第三N型缓冲层的杂质浓度大于第一N型缓冲层的杂质浓度。三个缓冲层可以分别独立优化IGBT器件的相关特性，获得更好的导通和关断的折中曲线，进而优化IGBT的开关特性，从而提高了IGBT的器件的整体性能。