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一种沟槽型IGBT结构的制作方法

基本信息

申请号 CN201310085577.2 申请日 -
公开（公告）号 CN103839802B 公开（公告）日 2018-09-11
申请公布号 CN103839802B 申请公布日 2018-09-11
分类号 H01L21/331 分类 基本电气元件;
发明人 赵佳;朱阳军;胡爱斌;卢烁今 申请（专利权）人 上海联星电子有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 刘丽君
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种沟槽型IGBT结构的制作方法，属于半导体技术领域。该方法在N‑型衬底的上表面开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法生长氧化层，在窗口区域的两侧分别刻蚀一沟槽；在N‑型衬底的上表面和沟槽的侧壁均淀积栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，刻蚀除两沟槽内和两沟槽之间以外的多晶硅层，在两沟槽的外侧分别形成p‑基底区域，在p‑基底区域形成N+注入区；在p‑基底区域和所述多晶硅层上沉淀隔离氧化层，刻蚀部分隔离氧化层，形成发射器的接触孔。本发明通过在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，从而增加了器件的快速反应能力。