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一种平面型IGBT结构的制备方法

基本信息

申请号 CN201310085579.1 申请日 -
公开（公告）号 CN103839803B 公开（公告）日 2018-11-06
申请公布号 CN103839803B 申请公布日 2018-11-06
分类号 H01L21/331 分类 基本电气元件;
发明人 赵佳;朱阳军;陆江;卢烁今;田晓丽 申请（专利权）人 上海联星电子有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 刘丽君
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种平面型IGBT结构的制备方法，属于半导体技术领域。该方法为：在N‑型衬底上开出一窗口区域，在窗口区域通过硅的选择氧化方法淀积氧化层，在N‑型衬底和窗口区域的上表面均生长栅氧层，在栅氧层上淀积多晶硅层，将窗口区域以外的多晶硅层形成栅极，通过离子注入法，在N‑型衬底的上表面依次形成P‑基区和N‑注入区，在多晶硅层的表面依次淀积层间氧化层和金属层，形成发射极，在N‑型衬底的背面，通过离子注入法依次形成N型缓冲层和p‑集电极区，在N‑型衬底的背面，淀积背面金属层。本发明在硅表面以下生长氧化层，通过增加电容介质的厚度，减小密勒电容，改善了传统工艺中造成材料断裂的问题。