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一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法

基本信息

申请号 CN201310085624.3 申请日 -
公开（公告）号 CN103839990B 公开（公告）日 2018-06-19
申请公布号 CN103839990B 申请公布日 2018-06-19
分类号 H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/26 分类 基本电气元件;
发明人 喻巧群;朱阳军;卢烁今;吴振兴;田晓丽 申请（专利权）人 上海联星电子有限公司
代理机构 北京华沛德权律师事务所 代理人 刘丽君
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开了一种IGBT的缓冲层结构及其制作方法，属于功率半导体技术领域，该缓冲层包括至少两层N型掺杂层，缓冲层在漂移区和P+集电区之间，制作该缓冲层的方法为：在N‑型衬底的背面通过质子辐照形成第一掺杂层，第一掺杂层的掺杂浓度为5e14/cm3–5e16/cm3；在第一掺杂层通过掩膜板划分出掩膜区域和透光区域；通过质子辐照或者离子注入的方法在透光区域形成第二掺杂层，第二掺杂层的掺杂浓度为1e15/cm3–5e17/cm3。本发明可以获得更理想的缓冲层掺杂浓度分布，可以改善开关速度，同时抑制导通压降的波动。