一种IGBT及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201510784090.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106711205B | 公开（公告）日 | 2021-12-21 |
| 申请公布号 | CN106711205B | 申请公布日 | 2021-12-21 |
| 分类号 | H01L29/739（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 滕渊;朱阳军;卢烁今;田晓丽 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王宝筠 |
| 地址 | 200120上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT及其制作方法，该IGBT包括：半导体衬底、位于半导体衬底第一表面的正面结构和终端结构、位于半导体衬底第二表面的背面结构，和位于半导体衬底侧面的隔离层，隔离层覆盖半导体衬底的侧面、终端结构的侧面和背面结构的侧面，使得本发明实施例所提供的IGBT中，其PN结不会出现在IGBT的侧面，从而避免了IGBT在其背面的PN结反偏时，其载流子从PN结侧面边缘流出，产生的漏电现象，提高了IGBT的反向阻断能力。而且，本发明实施例所提供的IGBT制作方法，不需要长时间的热扩散，加工时间较短，对IGBT的生产效率影响不大。 |
