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半导体器件的集电极结构及TI-IGBT

基本信息

申请号 CN201410133404.8 申请日 -
公开（公告）号 CN104979378B 公开（公告）日 2020-01-31
申请公布号 CN104979378B 申请公布日 2020-01-31
分类号 H01L29/417（2006.01）; H01L29/739（2006.01） 分类 基本电气元件;
发明人 张文亮; 朱阳军; 滕渊 申请（专利权）人 上海联星电子有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 王宝筠
地址 200120 上海市浦东新区金桥路939号宏南投资大厦1513室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI‑IGBT，其中集电极结构包括：与漂移区的掺杂类型相反的集电区；与漂移区的掺杂类型相同的短路区，短路区与集电区相互隔离；形成于集电区与短路区背离漂移区一侧的集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极的表面相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区的表面相接触，且与集电区和短路区均相接触。由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子电流的传导路径为集电极上方→绝缘体上方→短路区上方，因此电子传导路径的电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力。