一种功率器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310086257.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103839805B | 公开（公告）日 | 2018-09-11 |
| 申请公布号 | CN103839805B | 申请公布日 | 2018-09-11 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/324;H01L21/265 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 吴振兴;朱阳军;田晓丽;卢烁今 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 刘丽君 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种功率器件的制备方法，属于半导体技术领域。该方法包括，在N+型衬底的上表面淀积N型掺杂的非晶硅薄膜层，形成N型的非晶硅场截止层，经高温退火后，通过外延方法在N型的非晶硅场截止层上形成N‑外延层，然后在N‑外延层的上表面形成SiO2薄膜层,在SiO2薄膜层的上表面曝光出环状区域，形成终端的保护环结构；在终端截止环上曝光出最外围的环状区域，然后进行N+型离子注入和退火，形成终端区。本发明通过外延非晶硅形成的N型层作为功率器件的场截止层，剩余的载流子会很快被复合掉，外在表现就是使功率器件关断的拖尾电流变短，减小关断时间及关断损耗。 |
