一种电场阻断型IGBT结构的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201310086227.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103839804B | 公开（公告）日 | 2019-01-11 |
| 申请公布号 | CN103839804B | 申请公布日 | 2019-01-11 |
| 分类号 | H01L21/331（2006.01）I; H01L21/265（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 胡爱斌; 朱阳军; 卢烁今; 吴振兴; 田晓丽; 赵佳 | 申请（专利权）人 | 上海联星电子有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 刘丽君 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种电场阻断型IGBT结构的制备方法，属于半导体功率器件技术领域。制备方法为选择N+单晶片作为N+型衬底，在N+型衬底上通过外延的方法依次形成第一外延层和第二外延层，在外延层上依次形成P+基区、N+发射区、栅极氧化层、栅极和发射极；将N+型衬底的背面减薄，移除部分第一外延层，形成N+型缓冲层，第二外延层为N‑基区；在N+型缓冲层的背面通过离子注入的方法形成P+集电极层，然后在P+集电极层上面生长背金金属层，N+型缓冲层厚度为5‑35μm，N+型缓冲层的电阻率为1–10Ωcm。本发明可以使N‑基区的厚度变得更薄，从而降低IGBT的导通电压和关断时间。 |
