一种太阳能电池制作方法及太阳能电池
基本信息
| 申请号 | CN201810458958.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110556435A | 公开（公告）日 | 2019-12-10 |
| 申请公布号 | CN110556435A | 申请公布日 | 2019-12-10 |
| 分类号 | H01L31/0224（2006.01）; H01L31/04（2014.01）; H01L31/20（2006.01） | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 萧生刚; 刘万满 | 申请（专利权）人 | 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳盛德大业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 贾振勇 |
| 地址 | 518053 广东省深圳市南山区南山街道月亮湾大道2078号兆龙大楼第六层602号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于新能源领域，提供了一种太阳能电池制作方法及太阳能电池。太阳能电池制作方法包括如下步骤：采用掩膜技术在所述太阳能电池的基体的背面形成至少一个P型非晶硅图案与至少一个N型非晶硅图案；采用所述掩膜技术在所述基体的背面的一侧形成与所述P型非晶硅图案对应的发射极背接触电极，并采用所述掩膜技术在所述基体背面的另一侧形成与所述N型非晶硅图案对应的基极背接触电极。上述的P型非晶硅图案、N型非晶硅图案、发射极背接触电极和基极背接触电极都采用掩膜技术完成，该技术对工艺的精度要求相对较低，因此完成效率较高，并且也不需要高额的设备投入，很大程度上降低了生产成本。 |
