背接触异质结太阳能电池及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201710155595.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107068798B | 公开（公告）日 | 2019-05-17 |
| 申请公布号 | CN107068798B | 申请公布日 | 2019-05-17 |
| 分类号 | H01L31/0747（2012.01）I; H01L31/20（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张振刚; 孙宏; 宋江; 赵崇亮; 王海清; 萧生刚 | 申请（专利权）人 | 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 | 代理人 | 胡海国 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市南山区南山街道月亮湾大道2078号兆龙大楼第六层602号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，其中，该背接触异质结太阳能电池包括单晶硅衬底，单晶硅衬底背面上依次设置有第一钝化层和载流子收集层，载流子收集层包括设置在第一钝化层上的第一层和设置在第一层上的第二层；第一层由n型非晶硅和p型非晶硅间隔设置形成；第二层为设置在第一层的n型非晶硅上的p型非晶硅，或者第二层为设置在第一层的p型非晶硅上的n型非晶硅。本发明的技术方案中，在已经形成的p型或n型非晶硅图案上，全表面覆盖一层n型或p型非晶硅，只需要做一次图案形成，省略了第二次的非晶硅图案形成，不存在两次图案之间的定位问题，极大简化了生产工艺，有利于背接触异质结电池的量产。 |
