一种背接触异质结单晶硅太阳能电池及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN201610832552.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106252466A | 公开（公告）日 | 2016-12-21 |
| 申请公布号 | CN106252466A | 申请公布日 | 2016-12-21 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张振刚;萧生刚;宋江;刘万满 | 申请（专利权）人 | 深圳市科纳能薄膜科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳盛德大业知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 贾振勇 |
| 地址 | 518053 广东省深圳市南山区沙河街道沙河工业区39栋208号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明适用于太阳能光伏技术领域，提供了一种背接触异质结太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：在非晶硅层表面，通过第一镀膜技术形成一层透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层表面，通过第二镀膜技术形成一层金属层；通过激光划线技术，按照预设的金属电极图案，在金属层上进行激光划线，在所述金属层形成包括主电极和栅线电极的金属电极图案。通过在非晶硅层与金属层中间镀一层透明导电氧化物层，再结合不同的激光特性，进行激光划线，可以避免激光划线过程中对非晶硅和硅基底的损伤，同时可有效避免金属对硅的扩散，并且相对于现有技术，本发明工艺流程较为简单，且可以采用铝等廉价金属材料，降低了电池制作成本，可以达到量产的目的。 |
