一种浓度梯度校准芯片的制备方法及其校准方法
基本信息
| 申请号 | CN201910504594.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110146477A | 公开（公告）日 | 2019-08-20 |
| 申请公布号 | CN110146477A | 申请公布日 | 2019-08-20 |
| 分类号 | G01N21/64 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 吉锋;张冠斌;安爽;郑双奇 | 申请（专利权）人 | 成都博奥新景医学科技有限公司 |
| 代理机构 | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 成都博奥晶芯生物科技有限公司;成都博奥新景医学科技有限公司 |
| 地址 | 611135 四川省成都市温江区永宁镇八一路北段88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种浓度梯度校准芯片的制备方法，包括如下步骤：取含有反应池的微流体芯片；用荧光纳米材料配制形成混合液，并将该混合液按比例稀释成不同的梯度浓度；将不同梯度浓度的混合液分别点制在各个反应池内；经点制完成的微流体芯片表面上覆膜形成校准芯片；还公开了浓度梯度校准芯片的校准方法，包括：采集一组标准数据和一组待测数据；将标准数据与待测数据作线性拟合，计算两组数据的线性相关系数R2和斜率K值，并判断是否满足线性相关系数R2＞0.95，0.95＜斜率K值＜1.05，以最终完成校准，以达到对仪器荧光信号范围校准且校准准确性较高的目的，同时能够提高校准芯片的制备成品率，降低制备成本。 |
