镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法
基本信息
| 申请号 | CN201110319143.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN102352510A | 公开（公告）日 | 2012-02-15 |
| 申请公布号 | CN102352510A | 申请公布日 | 2012-02-15 |
| 分类号 | C23C28/04(2006.01)I;C23C16/505(2006.01)I;C23C22/42(2006.01)I;C23C22/07(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 李庆刚;罗庆丽;罗庆刚 | 申请（专利权）人 | 济南安塞自动化技术有限公司 |
| 代理机构 | 济南圣达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 济南安塞自动化技术有限公司 |
| 地址 | 250021 山东省济南市槐荫区北小辛庄西街57号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及镁合金上低温制备高性能硅掺杂类金刚石膜层的方法，将镁合金材料表面脱脂清洗除油，然后皮膜预处理、钙盐化学转化，再烘干，即将镁合金材料进行无铬表面处理形成化学转化膜；将得到的镁合金材料进行惰性气体流清洗，然后在通入甲烷、硅烷和氢气的真空室中20-60℃温度下化学气相沉积，最后冷却。本发明获得膜层表面致密，与基体结合良好，具有优异的耐腐蚀和低磨损性能，拓宽镁合金材料在承载工程部件的应用，可在在汽车工业、电子通讯、航天航空、武器装备等领域的应用。 |
