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一种氧化镁次级发射体的制备方法

基本信息

申请号 CN202110595623.8 申请日 -
公开（公告）号 CN113471034A 公开（公告）日 2021-10-01
申请公布号 CN113471034A 申请公布日 2021-10-01
分类号 H01J9/12（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C20/08（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 王浩东;李诚迪;芮杰;邓涛;张杰 申请（专利权）人 南京三乐集团有限公司
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 陆志斌
地址 210009江苏省南京市浦口经济开发区光明路5号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开来了一种氧化镁次级发射体的制备方法，本发明以金属镍、银、银镁合金作为靶材材料，交替溅射在发射极表面获得复合过渡层。然后将复合过渡层的基体发射极与可挥发有机镁盐和氧化铝粉制成的蒸发源分别放入真空设备中，抽真空后，对蒸发源加热至200℃～300℃，对基体发射极加热至600℃～900℃，再充入氧气和氮气，使发射极表面的复合层在氧气氛围中敏化，同时使镁盐在发射极表面分解并与氧气反应生成氧化镁直接附着在基体表面，即制成氧化镁次级发射体。本发明铯束管用电子倍增器的次级发射体的制作方法，制得的氧化镁膜更加致密和牢固，装配此次级发射体的电子倍增器能满足铯束管长时间连续使用的要求和铯束管的寿命要求。