一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法
基本信息
| 申请号 | CN202110596527.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113035697B | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN113035697B | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L21/203（2006.01）I;H01L21/66（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01J37/32（2006.01）I;C30B23/06（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭帅;冯巍;杜全钢;谢小刚 | 申请（专利权）人 | 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215151江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种高电子迁移率器件外延生长工艺参数的优化方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在预设加热功率比下进行分子束外延生长，以获得高电子迁移率器件外延片；测量跨整个外延片的光致发光半峰全宽二维图谱；识别二维图谱中的分界线，并计算分界距离；根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，确定下一次进行外延生长时所采用的加热功率比。通过获取测试样品的光致发光半峰全宽二维图谱，进而获得对应的分界距离，然后根据加热功率比与分界距离之间的对应关系，计算获得经优化的加热功率比，实现了加热功率比的快速优化调整，避免了重复多次试验所带来的衬底及设备机时的消耗，提高了生产效率，并降低了生产成本。 |
