一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法专利查询专利号|摘要-满商公司网

一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法

基本信息

申请号	CN201910845381.6	申请日	-
公开（公告）号	CN110527975B	公开（公告）日	2020-12-18
申请公布号	CN110527975B	申请公布日	2020-12-18
分类号	C23C16/30;C23C16/52;H01L21/02	分类	对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人	冯巍;谢小刚	申请（专利权）人	新磊半导体科技（苏州）股份有限公司
代理机构	北京品源专利代理有限公司	代理人	新磊半导体科技（苏州）有限公司
地址	215000 江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
法律状态	-

摘要

本发明提供一种InGaAsP四元系材料分子束外延生长的定标方法，涉及半导体制造技术领域。该定标方法包括：对In_xGa_1‑xP中的多个不同组分配比x分别进行定标生长，获取对应的多个第一参数；根据第一预定算法，得到x与第一参数之间的第一关系；对InAs_yP_1‑y中的多个不同组分配比y分别进行定标生长，获取对应的多个第二参数；根据第二预定算法，得到y与第二参数之间的第二关系；针对In_x，Ga_1‑x’As_y，P_1‑y’，根据第一和第二关系，确定对应的外延生长条件参数。通过分别对III族和V族元素的多个不同组分配比进行定标生长，获取对应的生长条件参数，以获得组分配比与生长条件参数之间的关系，针对In_x，Ga_1‑x’As_y，P_1‑y’，可根据所述关系直接确定外延生长条件参数，从而提高了生产效率，降低了生产成本。