一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法
基本信息
| 申请号 | CN202110641641.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113097349A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN113097349A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L31/18（2006.01）I;H01L31/107（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭帅;冯巍;杜全钢;谢小刚 | 申请（专利权）人 | 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215151江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种利用分子束外延制备雪崩光电二极管的方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在InP衬底上依次沉积生长N‑InP层、N‑InAlAs层、InAlAs倍增层和P‑InAlAs电荷层；在电荷层上沉积生长InAlGaAs渐变层，在沉积生长渐变层的过程中，铝源炉和镓源炉中的一者采用变温方式提供对应的分子束，另一者采用脉冲方式提供对应的分子束；在渐变层上沉积生长InGaAs吸收层。通过在沉积生长渐变层的过程中，铝源炉和镓源炉中的一者采用变温方式提供对应的分子束，另一者采用脉冲方式提供对应的分子束，能够实现性能满足需要的渐变层，避免了繁琐复杂的四元系材料校准程序，降低了生产成本。 |
