一种GaAs基DBR外延材料结构
基本信息
| 申请号 | CN202020540978.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN211789981U | 公开（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申请公布号 | CN211789981U | 申请公布日 | 2020-10-27 |
| 分类号 | H01S5/183(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭帅;冯巍 | 申请（专利权）人 | 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215151江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供一种GaAs基DBR外延材料结构，涉及半导体制造技术领域。该结构包括：GaAs衬底；在衬底上的缓冲层；在缓冲层上的AlGaAs过渡层；在过渡层上的AlGaAs/GaAs系DBR层；过渡层为Al组分从第一值至第二值渐变的AlxGa1‑xAs渐变层，第一值小于第二值，DBR层中的前至少一对AlGaAs/GaAs层的Al组分值大于第二值。通过在缓冲层上设置渐变层，使得用于生长DBR层的表面的晶格常数从GaAs过渡为具有第二值组分的AlGaAs的晶格常数，从而能够实现DBR层的应力平衡，大幅降低甚至消除生长DBR层时导致的外延片翘曲。 |
