一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统

基本信息

申请号 CN202010288145.1 申请日 -
公开(公告)号 CN111474456B 公开(公告)日 2021-03-05
申请公布号 CN111474456B 申请公布日 2021-03-05
分类号 G01R33/07(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I;G01N27/72(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 郭帅;冯巍 申请(专利权)人 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司
代理机构 北京品源专利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215151江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种霍尔效应电压确定方法及霍尔测试系统,涉及半导体测试技术领域。该霍尔效应电压确定方法包括:采用范德堡法,在施加失调补偿电压的同时,在测试磁场值和测试激励电流值下获取材料样品的电压数据;根据电压数据,计算获得初始霍尔电压;根据电压数据,计算获得霍尔电压校正值;根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值,确定材料样品的霍尔效应电压。通过获取材料样品的电压数据,并且根据电压数据计算出表示材料样品的失调电压对霍尔效应电压的影响的霍尔电压校正值,再根据初始霍尔电压和霍尔电压校正值确定材料样品的霍尔效应电压,从而可以大幅降低霍尔测试中失调电压对霍尔效应电压结果的影响,提高所获得的霍尔效应电压的准确度。