一种分子束外延设备中衬底温度的确定方法
基本信息
| 申请号 | CN202110518840.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113252195A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113252195A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | G01K7/02（2021.01）I | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 郭帅;冯巍;杜全钢;谢小刚 | 申请（专利权）人 | 新磊半导体科技（苏州）股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215151江苏省苏州市高新区建林路666号出口加工区配套工业园28号厂房 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种分子束外延设备中衬底温度的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：建立用于表示热电偶的实测温度与衬底的实际温度之间关系的线性温度模型；计算确定常数a；获取衬底氧化层脱附时的热电偶温度T；计算确定常数b；计算确定在热电偶的任一实测温度下对应的衬底的实际温度。通过在分子束外延设备中设置两个热电偶，同时利用两个热电偶的实测温度及衬底的实际脱附温度对模型进行求解，然后基于模型和热电偶的实测温度来计算衬底的实际温度。本方法仅需要提供衬底的氧化层脱附温度即可建立热电偶实测温度与衬底实际温度之间的关系模型，避免在模型中引入与测试条件相关的其他因素，能够实现衬底的实际温度的高精度测量。 |
