具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法
基本信息
| 申请号 | CN202110356878.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113201718A | 公开（公告）日 | 2021-08-03 |
| 申请公布号 | CN113201718A | 申请公布日 | 2021-08-03 |
| 分类号 | C23C14/35;C23C14/08;C23G1/12;C23G1/10;C23G1/08;C23C14/56 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 胡明珠;朱峰;熊志红;陈明;杨春雷;彭燕君;武双元 | 申请（专利权）人 | 深圳仕上电子科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中细软知识产权代理有限公司 | 代理人 | 田丽丽 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市宝安区福海街道新和社区晖信工业园B栋厂房1层2层、4层,C栋厂房1层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种具有牺牲层的镀腔内壁构件及其制备方法以及清洗方法，具有牺牲层的镀腔内壁构件，包括镀腔内壁构件和形成于所述镀腔内壁构件表面的牺牲层，所述牺牲层的材料为ZnO，所述牺牲层在清洗过程中被去除。对被杂质层污染后的所述具有牺牲层的镀腔内壁构件用酸清洗剂进行清洗，所述清洗过程中，所述杂质层和所述牺牲层均被去除，得到清洗后的镀腔内壁构件。本发明的清洗方法付不仅能够清除掉杂质层，同时不伤害原有镀腔内壁构件。 |
