一种用于高空微压探测的压力传感器

基本信息

申请号 CN202123286004.5 申请日 -
公开(公告)号 CN216869858U 公开(公告)日 2022-07-01
申请公布号 CN216869858U 申请公布日 2022-07-01
分类号 G01L9/04(2006.01)I;H03F3/45(2006.01)I 分类 测量;测试;
发明人 陈美意;张加宏;顾芳;王超;李玲 申请(专利权)人 南京信息工程大学
代理机构 南京纵横知识产权代理有限公司 代理人 -
地址 210044江苏省南京市江北新区宁六路219号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种用于高空微压探测的压力传感器,SOI硅片的衬底硅经过光刻刻蚀等步骤形成应力薄膜并与底部的玻璃基座形成E型真空腔。SOI硅片的顶部器件层掺杂形成四个栅型电阻和两个PNP双极型三极管,四个栅型电阻分别作为两个三极管的基极电阻和集电极电阻,且两个三极管构成差分放大电路。电阻采用栅型纳米厚度的电阻,在梁‑岛应力增强结构中其受外部压力作用时阻值变化更明显,具有高的信噪比与灵敏性。位于上方和下方的栅型电阻受压力变化电阻阻值会上升,而位于左右两侧的栅型电阻阻值会下降,由于电阻变化而产生的电压信号输入到两个PNP三极管组成的差分放大电路,将压力引起的阻值变化信号进一步放大,从而达到高空微压测量的目的。