首页/ 扬州乾照光电有限公司/ 专利详情

一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构

基本信息

申请号 CN202111660695.2 申请日 -
公开（公告）号 CN114335265A 公开（公告）日 2022-04-12
申请公布号 CN114335265A 申请公布日 2022-04-12
分类号 H01L33/00（2010.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I;C30B29/42（2006.01）I;C30B29/44（2006.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/30（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 张祥;蔡和勋;马英杰;伏兵;许宗琦 申请（专利权）人 扬州乾照光电有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 耿苑
地址 225101江苏省扬州市下圩河路8号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请实施例公开了一种近红外LED外延结构制作方法及外延结构，该制作方法包括：在衬底表面依次形成N型层、发光层、P型层、过渡层以及欧姆接触层，欧姆接触层为GaP层，P型层包括P型限制层和P型窗口层，P型窗口层为AlxGa1‑xAs层；过渡层包括第一过渡层和第二过渡层，第一过渡层为Al组分含量沿背离衬底表面方向从x均匀减小为0的AlyGa1‑yAs层；第二过渡层为P组分含量沿背离衬底表面方向从0均匀增加为1的GaAs1‑zPz层，从而使得过渡层能够稳定实现P型窗口层到欧姆接触层的晶格与带隙的过渡，有助于提高近红外LED的工作性能，并使得过渡层与P型窗口层以及欧姆接触层实现良好的欧姆接触。