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一种LED芯片及其制备方法

基本信息

申请号	CN202110757390.7	申请日	-
公开（公告）号	CN113299808B	公开（公告）日	2022-05-17
申请公布号	CN113299808B	申请公布日	2022-05-17
分类号	H01L33/20（2010.01）I;H01L33/02（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/24（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	赵鹏;徐洲;马英杰;蔡和勋	申请（专利权）人	扬州乾照光电有限公司
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	-
地址	225101江苏省扬州市下圩河路8号
法律状态	-

摘要

本申请实施例公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片为反极性LED芯片，包括第一衬底和位于第一衬底表面的叠层结构，该叠层结构沿背离第一衬底的方向包括：欧姆接触层、发光层和介质层，发光层位于欧姆接触层背离第一衬底的表面上，发光层中与欧姆接触层接触的第一型半导体层包括沿背离第一衬底的方向依次排布的第一子层和第二子层，且第一子层的掺杂浓度大于第二子层的掺杂浓度，即第一子层为重掺杂层；欧姆接触层和第一子层组成的叠层具有凹槽，该凹槽贯穿欧姆接触层，并至少贯穿部分第一子层，以减少重掺杂的第一子层对光的吸收，并且，填充所述凹槽的介质层对光的吸收小于第一子层对光的吸收，从而提高该反极性LED芯片的发光亮度。