一种半导体激光器及其制作方法
基本信息
| 申请号 | CN202011278124.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112397997A | 公开（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申请公布号 | CN112397997A | 申请公布日 | 2021-02-23 |
| 分类号 | H01S5/125(2006.01)I; | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 童吉楚;徐枫;谢昆江 | 申请（专利权）人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 骆宗力 |
| 地址 | 225101江苏省扬州市下圩河路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体激光器及其制作方法，在增加了半导体激光器所包括的量子阱数量的同时，设置第i量子阱层中InGaAs阱层的In组分大于第i+1量子阱层中InGaAs阱层的In组分，由于InGaAs阱层的折射率随着In组分的升高而增加，进而能够对半导体激光器的光场限制，使得半导体激光器的发光点位置偏向衬底侧，有效降低半导体激光器的发散角。 |
