一种LED芯片及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202210162936.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114530533A | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申请公布号 | CN114530533A | 申请公布日 | 2022-05-24 |
| 分类号 | H01L33/10（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 伏兵;李晓静;赵鹏;马英杰;蔡和勋 | 申请（专利权）人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 225101江苏省扬州市下圩河路8号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，将第二电极遮挡区域的至少欧姆接触层和部分第一型半导体层组成的叠层被至少部分刻蚀掉，形成凹槽，从而至少能够减少电流从第二电极遮挡区域的欧姆接触层和部分第一型半导体层流入第二电极遮挡区域的有源层中，即减少电流横向扩展到第二电极遮挡区域的有源层中，进而减少第二电极遮挡区域的有源层发光，实现减小产热，降低结温，提高LED芯片的电光转换效率的目的，同时也可以使得电流更多地扩展到没有被第二电极遮挡的有源层中，进一步提高LED芯片的电光转换效率。 |
