一种耐高温钐钴永磁体及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202010111403.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111326310B | 公开（公告）日 | 2020-12-29 |
| 申请公布号 | CN111326310B | 申请公布日 | 2020-12-29 |
| 分类号 | H01F7/02;H01F27/23;H01F1/055;H01F41/02 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 段兴汉;武桐 | 申请（专利权）人 | 上海景瑞阳实业有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 王术娜 |
| 地址 | 201315 上海市浦东新区秀浦路3188弄66号3、4楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及永磁体技术领域，具体涉及一种耐高温钐钴永磁体及其制备方法。本发明提供的耐高温钐钴永磁体，包括钐钴永磁体基体、设置于所述钐钴永磁体基体表面的铜镀层和设置在所述铜镀层表面的纳米碳材料层。本发明利用纳米碳材料层的隔温性来提高钐钴永磁体的耐热性，使其能够在500℃以上的环境中使用；在本发明中，铜镀层作为生长辅助剂，有利于保证纳米碳材料层的生成。本发明提供的钐钴永磁体具有优异的耐高温性，可以应用到新型的低场核磁设备中；另外，本发明提供的钐钴永磁体还具有优异的防腐效果，耐盐雾时间高达360h。 |
