一种III-V族半导体晶圆的退火方法
基本信息
| 申请号 | CN201910520019.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110197790B | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN110197790B | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | H01L21/324（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 郭海侠;薛金鹏;周翔翔;陈艳法 | 申请（专利权）人 | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨楠 |
| 地址 | 215024江苏省苏州市工业园区苏虹东路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种III‑V族半导体晶圆的退火方法，在退火过程的升温阶段，当温度升至温度范围在300℃～350℃的第一温度时，以30℃/min～50℃/min的降温速率进行时间不超过1min的降温，然后再继续升温；在退火过程的降温阶段，当温度降至温度范围在250℃～300℃的第二温度时，以40℃/min～50℃/min的升温速率，进行时间不超过1min的升温，然后再继续降温。相比现有技术，本发明可大幅降低晶圆退火制程中的破损率，从而有效提高产品良率。 |
