等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910508459.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110176398B | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN110176398B | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | H01L21/311;H01S5/183;C09K13/00 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 张鹏;许聪基;赖铭智 | 申请（专利权）人 | 苏州长瑞光电有限公司 |
| 代理机构 | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 | 代理人 | 杨楠 |
| 地址 | 215024 江苏省苏州市工业园区苏虹东路388号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种等离子体刻蚀方法，用于消除砷化镓基体表面钝化层，所述钝化层包含氧化铝层，使用碳基氟化物气体作为刻蚀气体。针对GaAs基体表面钝化层中氧化铝膜的刻蚀难题，本发明人通过大量研究实验发现以碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对砷化镓基体造成损伤。本发明还公开了一种垂直腔面发射激光器的制备方法。本发明创新性地提出用碳基氟化物气体作为刻蚀气体来进行砷化镓基体表面氧化铝钝化层的刻蚀，既能快速有效地消除包含氧化铝的钝化层，又不会对GaAs基体造成损伤，保证了半导体制造工艺的可靠性和稳定性。 |
