光传感半导体单元和光传感半导体阵列
基本信息
| 申请号 | CN201910004799.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109904271B | 公开（公告）日 | 2021-06-29 |
| 申请公布号 | CN109904271B | 申请公布日 | 2021-06-29 |
| 分类号 | H01L31/10（2006.01）I;H01L27/144（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 宇思洋 | 申请（专利权）人 | 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李艳丽 |
| 地址 | 518000广东省深圳市龙华新区民治街道上芬社区工业西路与勤芬路交汇处上塘商业大厦218 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种光传感半导体单元，包括：衬底；位于所述衬底之上的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述第一掺杂区之上的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述第二掺杂区之上的第一导电类型的第三掺杂区；及用于隔离所述第一掺杂区和所述第三掺杂区的隔离结构。形成两个耗尽区，打入到这两个耗尽区的光生载流子才能被内建电场扫出，形成光导电流效应。两个耗尽区的设计比传统二极管一个耗尽区设计在吸收光生载流子的效率上大幅度提高；其次在两个耗尽区之外实施特定偏置电压，能够把两个耗尽扩展区特定的最大化扩展，但不形成穿通效应，这样可以形成不同电压和光生载流子吸收效率数据信息，这能够提高光分辨灵敏度。 |
