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半导体器件及其单元、电路结构及其单元、电路系统

基本信息

申请号 CN201710212966.5 申请日 -
公开（公告）号 CN107424990B 公开（公告）日 2019-03-22
申请公布号 CN107424990B 申请公布日 2019-03-22
分类号 H01L27/02（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 宇思洋 申请（专利权）人 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司
地址 518000 广东省深圳市福田区华强北路长盛大厦13层1322室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件单元、半导体器件、电路结构单元、电路结构和电路系统。半导体器件单元包括：衬底；位于所述衬底中的第一导电类型的第一掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第二掺杂区；位于所述衬底中的第二导电类型的第三掺杂区；隔离结构，其用于隔离所述第一掺杂区和所述第二掺杂区以及所述第一掺杂区和所述第三掺杂区；在所述衬底中依次位于所述第三掺杂区下方的第一导电类型的第四掺杂区和第二导电类型的第五掺杂区；以及在所述衬底中位于所述第一、第二和第五掺杂区下方的第二导电类型的阱；以及与所述第二掺杂区串联连接的n个二极管，其中n为大于等于0的整数。