半导体器件、电路组件及集成电路

基本信息

申请号 CN201710211604.4 申请日 -
公开(公告)号 CN107123640B 公开(公告)日 2019-07-09
申请公布号 CN107123640B 申请公布日 2019-07-09
分类号 H01L23/60(2006.01)I; H01L23/62(2006.01)I; H01L27/02(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 宇思洋 申请(专利权)人 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司
代理机构 深圳中一联合知识产权代理有限公司 代理人 深圳市环宇鼎鑫科技有限公司
地址 518000 广东省深圳市福田区华强北路长盛大厦13层1322室
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及半导体器件、电路组件及集成电路。本发明提供了一种半导体器件,其包括:半导体衬底;位于半导体衬底中的第一导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区以及第二导电类型的第三掺杂区和第四掺杂区,其中第三掺杂区毗邻第一掺杂区并且位于第一掺杂区下方,第四掺杂区毗邻第二掺杂区并且位于第二掺杂区下方;隔离结构,其配置成将第一掺杂区和第三掺杂区与第二掺杂区和第四掺杂区隔离;以及第二导电类型的阱,其半导体衬底中布置在第二掺杂区和第四掺杂区下方并且毗邻第二掺杂区和第四掺杂区。