一种阵列碳纳米薄膜的制备方法

基本信息

申请号 CN201610326454.7 申请日 -
公开(公告)号 CN107381539B 公开(公告)日 2019-10-25
申请公布号 CN107381539B 申请公布日 2019-10-25
分类号 C01B32/162 分类 无机化学;
发明人 张伟;吉小超;于鹤龙;王红美;杜军;郭蕾 申请(专利权)人 北京睿曼科技有限公司
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司;中国人民解放军装甲兵工程学院
地址 100043 北京市石景山区金融街长安中心26号院5号楼2507
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种阵列碳纳米管薄膜的制备方法,包括以下步骤:将基底置于PECVD腔体中的金属网罩中,金属网罩上方放置依次叠加的两块催化剂金属板;在PEVCD腔体中通入反应气体,加热后接通电源,反应后在基底表面得到催化剂薄膜;将PEVCD腔体加热后通入碳源和载气,接通电源,反应后在基底表面得到阵列碳纳米管薄膜。本申请催化剂薄膜和阵列碳纳米管薄膜在同一PECVD腔体内完成,且能够实现连续制备,提高了阵列碳纳米管薄膜制备的效率;另一方面,低温制备使得阵列碳纳米管薄膜能够应用于很多不耐高温的领域。