一种复合薄膜的制备方法
基本信息
申请号 | CN201610326908.0 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107385412A | 公开(公告)日 | 2017-11-24 |
申请公布号 | CN107385412A | 申请公布日 | 2017-11-24 |
分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 张伟;吉小超;于鹤龙;王红美;汪勇;杜军;周新远 | 申请(专利权)人 | 北京睿曼科技有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 中国人民解放军装甲兵工程学院;北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造产业技术研究有限公司 |
地址 | 100000 北京市丰台区杜家坎21号再制造技术重点实验室 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明提供了一种复合薄膜的制备方法,包括以下步骤:A)在基底表面制备金属催化剂薄膜,将表面制备有金属催化剂薄膜的基底再置于PECVD设备的反应腔体中,将所述反应腔体加热,通入载气与碳源气体,接通电源,反应后得到阵列碳纳米管薄膜;B)关闭电源,停止通入碳源气体,向所述反应腔体中继续通入载气,接通电源对碳纳米管薄膜进行刻蚀后关闭电源;C)将所述反应腔体冷却,通入反应气体后接通电源,反应后得到复合薄膜。本发明提供了一种原位复合薄膜的制备方法。该方法利用等离子体增强化学气相沉积方法在基底上制备阵列的碳纳米管薄膜,在此基础上继续制备所需要的薄膜,通过控制工艺,实现基体薄膜与碳纳米管的复合。 |
