一种二维实时太赫兹近场成像方法及装置
基本信息
| 申请号 | CN201910527755.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110440919A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN110440919A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | G01J3/44;G01N21/3581;G01V8/10 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 秦源;陈志文;李润泽;林雅益;黄巍 | 申请（专利权）人 | 清远市天之衡量子科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州容大专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 刘新年 |
| 地址 | 511500 广东省清远市高新技术产业开发区创兴大道18号天安智谷科技产业园产业大厦T0114层01号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种二维实时太赫兹近场成像方法及装置，涉及光学成像技术领域，包括：产生多种激光和太赫兹场，利用所述多种激光与太赫兹场将原子从基态相干激发到里德堡态；将太赫兹场转化为辐射出的荧光；通过EIT和AT分裂进行场强校准；通过所述荧光探测所述太赫兹场的空间分布，以实现太赫兹成像；从而实现了从一维到二维、从需要用探针扫描耗时较长到实时成像，从较低分辨率到较高分辨率，实现了优化太赫兹成像的目的，进而为太赫兹成像研究提供新技术基础。 |
