一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法
基本信息
| 申请号 | CN202111044356.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113782503A | 公开（公告）日 | 2021-12-10 |
| 申请公布号 | CN113782503A | 申请公布日 | 2021-12-10 |
| 分类号 | H01L23/367（2006.01）I;H01L23/373（2006.01）I;H01L23/467（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 史闻;谢志峰;郑翰鸿 | 申请（专利权）人 | 纳芯半导体科技（浙江）有限公司 |
| 代理机构 | 南京业腾知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 马威 |
| 地址 | 322000浙江省金华市中国（浙江）自由贸易试验区金华市义乌市稠江街道杨村路300号A幢1楼 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种碳化硅功率器件封装结构及封装方法，涉及碳化硅功率器件封装技术领域，包括碳化硅功率器件，所述碳化硅功率器件的顶端设置有正电极，所述碳化硅功率器件的底端连接有副电机，所述副电机的底端安装有散热机构，所述散热机构的底端设置有封装基板。本发明通过设置碳化硅功率器件、散热机构、封装基板、散热器，散热箱的底端与第二接触面接触，从而导致散热箱内部顶端与底端吸收的热量不同，使得散热箱底端的热量通过导热仓移动至导热杆内部，最后移动至回流仓内部，使得热量在散热箱内部移动，加快热量的发散，通过外部空气的快速流动，再加上散热箱对合金散热棒的快速吸热，通过双重散热的方法达到快速散热的目的。 |
