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纵向超结金属氧化物场效应晶体管

基本信息

申请号 CN201310717932.3 申请日 -
公开（公告）号 CN103700697B 公开（公告）日 2016-05-25
申请公布号 CN103700697B 申请公布日 2016-05-25
分类号 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I 分类 基本电气元件;
发明人 刘侠;杨东林 申请（专利权）人 西安高新新兴产业投资基金合伙企业（有限合伙）
代理机构 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 代理人 张震国
地址 710075 陕西省西安市高新区高新一路25号创新大厦MF6
法律状态 -

摘要

摘要 本发明纵向超结金属氧化物场效应晶体管，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底和N型掺杂外延层；N型掺杂外延层内部由内向外设有结构相同的第一P型填充阱区和第二P型填充阱区，第一P型填充阱区的上侧设有第一P型掺杂区；第二P型填充阱区上侧从内到向外设有第二P型掺杂区和P型掺杂等势环，并且三者共同构成终端耐压结构区域T；第二P型掺杂区对应多个第二P型填充阱区设置；P型掺杂等势环的宽度大于第二P型填充阱区的宽度，呈间隔布置的P型掺杂等势环在晶体管的长度方向上分别一一对应的平行设置在第二P型填充阱区的正上方；P型掺杂区内设有N型掺杂区，并与第一P型填充阱区共同构成原胞源极区域C；优化了表面电势分布。