一种IGBT驱动封装结构及制作方法
基本信息
申请号 | CN202210433564.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN114551377A | 公开(公告)日 | 2022-05-27 |
申请公布号 | CN114551377A | 申请公布日 | 2022-05-27 |
分类号 | H01L23/31(2006.01)I;H01L25/16(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I;H01F27/28(2006.01)I;H01F27/30(2006.01)I;H01F27/32(2006.01)I;H05K1/18(2006.01)I;H03K17/567(2006.01)N | 分类 | 基本电气元件; |
发明人 | 王文广 | 申请(专利权)人 | 杭州飞仕得科技股份有限公司 |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
地址 | 311100浙江省杭州市余杭区东湖街道龙船坞路96号1幢2层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本申请实施例公开了一种IGBT驱动封装结构及制作方法,包括:电路板,位于电路板表面的功率传输元件、信号传输元件、变压器、信号隔离芯片、塑封体,变压器包括磁芯和线圈,磁芯的电阻率不低于1*108Ω‑m,使得磁芯能够承受较高的电压,以使得该IGBT驱动封装结构具有较强的耐压能力。线圈缠绕在第三磁芯上,采用完全绝缘线FIW制成,绝缘性能较好,使得所述IGBT驱动封装结构具有较强的耐压能力,并且还可以减小所述变压器的尺寸,进而有助于减小所述IGBT驱动封装结构的尺寸。另外,该IGBT驱动封装结构利用塑封体统一封装,有助于降低该IGBT驱动封装结构的尺寸,使得该IGBT驱动封装结构尺寸较小。 |
