晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质
基本信息
| 申请号 | CN202110242095.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113009321A | 公开（公告）日 | 2021-06-22 |
| 申请公布号 | CN113009321A | 申请公布日 | 2021-06-22 |
| 分类号 | G01R31/28 | 分类 | 测量；测试; |
| 发明人 | 李创锋 | 申请（专利权）人 | 深圳市金泰克半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李雪鹃;杜亚明 |
| 地址 | 518000 广东省深圳市坪山区龙田街道长方照明工业厂区厂房B一、四层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请涉及一种晶圆漏电流测试方法、装置、晶圆级测试仪及存储介质，所述方法应用于晶圆，所述晶圆包括多个待测量单元，所述方法包括：获取所述晶圆上每个所述待测量单元的漏电流；根据所有所述待测量单元的漏电流，获取漏电流中位数及漏电流第一统计特征值；根据所述漏电流中位数及所述漏电流第一统计特征值，获取漏电流偏移量；根据所述漏电流中位数及所述漏电流偏移量，获取漏电流测量阈值；根据所述漏电流测量阈值筛选所述待测量单元。本申请实施例提高晶圆中芯片筛选的准确性和覆盖率，提升芯片的可靠性，降低芯片使用过程中的不良率。 |
