硅基负极材料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN202110438391.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113258043A | 公开（公告）日 | 2021-08-13 |
| 申请公布号 | CN113258043A | 申请公布日 | 2021-08-13 |
| 分类号 | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;H01M10/054 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王双才;朱冠华;肖昭 | 申请（专利权）人 | 湖南镕锂新材料科技有限公司 |
| 代理机构 | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 肖云 |
| 地址 | 410000 湖南省长沙市宁乡高新技术产业园区金洲北路001号湖南省大学科技产业园综合楼4楼众创空间卡座40627号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了硅基负极材料及其制备方法和应用。本发明的硅基负极材料，具有核壳结构，即硅核以及包覆硅核的壳材料，其中，壳材料为C3B、C2B和C‑B等具有类石墨结构的硼掺杂无定形碳，使得硅核表面由原来的缺陷状态形成了类石墨的无定形碳结构，从而材料具有与石墨相似的储锂机制，能够有效提高材料的首次库伦效率、放电容量以及循环性能。此外，本发明的硅基负极材料，原料易得，成本低。 |
