AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法
基本信息
| 申请号 | CN202010312549.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111628055A | 公开（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申请公布号 | CN111628055A | 申请公布日 | 2020-09-04 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 徐良;蓝文安;刘建哲;余雅俊;夏建白;李京波;郭炜;叶继春 | 申请（专利权）人 | 金华银行股份有限公司科技支行 |
| 代理机构 | 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人 | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 地址 | 321000浙江省金华市南二环西路2688号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种AlGaN基紫外LED外延层及其剥离方法，剥离AlGaN基紫外LED外延层的方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上形成有序并间隔排列的多个纳米柱；在所述纳米柱上进行外延生长，形成AlGaN基紫外LED外延层；通过选择性湿法刻蚀，将AlGaN基紫外LED外延层剥离下来。通过在蓝宝石衬底上形成有序并间隔排列的多个纳米柱，再以此纳米柱进行横向选区外延生长，形成AlGaN基紫外LED外延层；由于纳米柱间的连通、不连续的特性，有利于腐蚀溶液渗入，扩展孔洞的大小，将纳米柱顶端平台与平台上外延层腐蚀，进而实现易剥离效果。 |
