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异质结太阳能电池及其制造方法

基本信息

申请号	CN202110610151.9	申请日	-
公开（公告）号	CN113363356A	公开（公告）日	2021-09-07
申请公布号	CN113363356A	申请公布日	2021-09-07
分类号	H01L31/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0376（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I	分类	基本电气元件;
发明人	马哲国;王琳;吴科俊;汪训忠;张效国;钟潇	申请（专利权）人	理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司
代理机构	-	代理人	-
地址	225400江苏省泰州市泰兴高新技术产业开发区环溪路北侧
法律状态	-

摘要

本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述异质结太阳能电池包括N型单晶硅片，所述N型单晶硅片的正面上依次形成有第一及第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、第一透明导电膜以及第一电极，其反面上依次形成有第二及第四本征非晶硅层、P型非晶硅层、第二透明导电膜以及第二电极，其中第一以及第二本征非晶硅层通过工艺气体为不掺氢的硅烷的第一本征PECVD工艺形成；所述第三本征非晶硅层通过工艺气体包括二氧化碳、氢气以及硅烷的第二本征PECVD工艺形成，其中二氧化碳与硅烷的体积比随时间增加而在0.1‑0.6的范围内增大；所述第四本征非晶硅层通过第三本征PECVD工艺形成，第三本征PECVD工艺的工艺气体包括氢气以及硅烷。本发明有助于提高电池转换效率。