用于异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备
基本信息
| 申请号 | CN202110645526.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113410343A | 公开（公告）日 | 2021-09-17 |
| 申请公布号 | CN113410343A | 申请公布日 | 2021-09-17 |
| 分类号 | H01L31/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 欧阳亮 | 申请（专利权）人 | 理想万里晖真空装备（泰兴）有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 225400江苏省泰州市泰兴高新技术产业开发区环溪路北侧 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。该方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔；然后对第一本征、N型、第二本征、P型PECVD反应腔、第一、第二PVD腔同时抽真空；接着在第一本征PECVD反应腔进行第一本征PECVD工艺，从而在硅片正面形成第一本征非晶硅；然后将托盘分别传送至N型、第二本征、P型PECVD反应腔中分别进行N型、第二本征、P型PECVD工艺，从而在第一本征非晶硅上形成N型非晶硅、在硅片背面上依次形成第二本征、P型非晶硅；接着将托盘传送至第一、第二PVD腔，从而在N型、P型非晶硅形成第一、第二透明导电膜；最后对全部成膜腔同时破真空。本发明能减少破空次数，简化设备，降低成本，提升电池效率及良率。 |
