基于NTA的IMAC填料及其制备方法和应用
基本信息
| 申请号 | CN201811609279.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109663384B | 公开（公告）日 | 2021-05-11 |
| 申请公布号 | CN109663384B | 申请公布日 | 2021-05-11 |
| 分类号 | B01D15/08;C07K1/22 | 分类 | 一般的物理或化学的方法或装置; |
| 发明人 | 吕小林;丁忠 | 申请（专利权）人 | 苏州赛分科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人 | 唐清凯 |
| 地址 | 215323 江苏省苏州市工业园区集贤街11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种基于NTA的IMAC填料及其制备方法和应用。该制备方法包括如下步骤：提供一种基质；在所述基质的表面构建醛基，得到表面具有醛基的基质；将醛基转化为α‑氨基羧酸，得到表面具有α‑氨基羧酸的基质；在所述表面具有α‑氨基羧酸的基质的表面构建NTA基团，得到表面具有NTA基团的基质；以及将NTA基团与过渡金属离子螯合，得到基于NTA的IMAC填料。上述基于NTA的IMAC填料的制备方法，避免使用高成本原料，而且制备工艺清洁，纯化过程简单。 |
