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含有空腔的多层绝缘体上的硅晶圆及其制备方法

基本信息

申请号 CN202110956353.9 申请日 -
公开（公告）号 CN113838795A 公开（公告）日 2021-12-24
申请公布号 CN113838795A 申请公布日 2021-12-24
分类号 H01L21/762（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 周志健;余伦宙 申请（专利权）人 慧石（上海）测控科技有限公司
代理机构 深圳国新南方知识产权代理有限公司 代理人 周雷
地址 200000上海市青浦区华纺路99号99弄6幢3楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供一种含有空腔的多层绝缘体上的硅晶圆，包括晶圆，所述晶圆包括相对设置的第一表面和第二表面，所述晶圆内部设有腔体部；所述腔体部包括第一腔体部和第二腔体部，所述第一腔体部为设置在所述晶圆的第一表面和第二表面之间的空腔；所述第二腔体部为连通所述第一表面和第一腔体部的通道。所述腔体部的内壁上设有第一绝缘层，在所述第二腔体部中设有第一半导体层，所述第一半导体层将所述通道完全填充。在所述第一腔体部和所述第一表面之间设有第二绝缘层。还提供一种制备上述含有空腔的多层绝缘体上的硅晶圆的制备方法。本发明提供的含有空腔的多层绝缘体上的硅晶圆及其制备方法有效降低了生产成本，提高了生产效率，简化了制备流程。